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Hersteller-Nummer | K4B1G1646E-HQH9 |
Hersteller | SAMSUNG |
Produktkategorie | DDR3 SDRAM |
IC-Code | 64MX16 DDR3 |
Gehäuse | FBGA-96 |
Verpackung | |
RoHS | RoHS |
Spannungsversorgung | 1.5 V |
Betriebstemperatur | 0 C~+85 C |
Geschwindigkeit | 1333 MBPS |
Standard Stückzahl | |
Abmessungen Karton | |
Number Of Words | 64M |
Bit Organization | x16 |
Density | 1G |
Internal Banks | 8 Banks |
Generation | 6th Generation |
Teilenummer | Menge | Datecode | |
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K4B1G1646E-HQH9 | 200 | 1128+ | Anfrage senden |
K4B1G1646E-HQH9 | 1.962 | 11+ | Anfrage senden |
K4B1G1646E-HQH9 | 1.165 | 1119+ | Anfrage senden |
K4B1G1646E-HQH9 | 1.120 | Anfrage senden | |
K4B1G1646E-HQH9 | 1.115 | 11NOPB | Anfrage senden |
K4B1G1646E-HQH9 | 28.388 | Anfrage senden |
Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
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MT41J64M16JT-15E:G-SZ | FBGA-96 | 1.5 V | 1333 MBPS | 0 C~+85 C |
MT41J64M16JT-15EG | FBGA-96 | 1.5 V | 1333 MBPS | 0 C~+85 C |
MT41J64M16JT-15EGTR | FBGA-96 | 1.5 V | 1333 MBPS | 0 C~+85 C |
MT41J64M16JT15EGT | FBGA-96 | 1.5 V | 1333 MBPS | 0 C~+85 C |