K4B2G1646E-BCNB

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K4B2G1646E-BCNB
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR3 SDRAM
IC-Code 128MX16 DDR3
Andere Bezeichnungen K4B2G1646E-BCNBTCV

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-96
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.5 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 2133 MBPS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 128M
Bit Organization x16
Density 2G
Internal Banks 8 Banks
Generation 6th Generation
Power Normal Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4B2G1646E-BCNBTCV 2.193 Anfrage senden
K4B2G1646E-BCNB 504 Anfrage senden
K4B2G1646E-BCNB 1.610 1240+ Anfrage senden
K4B2G1646E-BCNB 0 Anfrage senden
K4B2G1646E-BCNB 1.000 Anfrage senden
K4B2G1646E-BCNB 20.000 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
MT41J128M16JT-093:KTR FBGA-96 1.5 V 2133 MBPS 0 C~+85 C
MT41J128M16JT-093:N FBGA-96 1.5 V 2133 MBPS 0 C~+85 C
MT41J128M16JT-093G FBGA-96 1.5 V 2133 MBPS 0 C~+85 C
MT41J128M16JT-093G:K FBGA-96 1.5 V 2133 MBPS 0 C~+85 C
MT41J128M16JT-093G:K D9PTD FBGA-96 1.5 V 2133 MBPS 0 C~+85 C
MT41J128M16JT-093G:K TR FBGA-96 1.5 V 2133 MBPS 0 C~+85 C
MT41J128M16JT-093GK FBGA-96 1.5 V 2133 MBPS 0 C~+85 C
MT41J128M16JT-093K FBGA-96 1.5 V 2133 MBPS 0 C~+85 C
MT41J128M16JT-093K-S FBGA-96 1.5 V 2133 MBPS 0 C~+85 C