K4B2G1646E-BYH9
Produktübersicht
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| Hersteller-Nummer | K4B2G1646E-BYH9 |
| Hersteller | SAMSUNG |
| Produktkategorie | DDR3L SDRAM |
| IC-Code | 128MX16 DDR3L |
Produktbeschreibung
| Gehäuse | FBGA-96 |
| Verpackung | |
| RoHS | RoHS |
| Spannungsversorgung | 1.35V |
| Betriebstemperatur | 0 C~+85 C |
| Geschwindigkeit | 1333 MBPS |
| Standard Stückzahl | |
| Abmessungen Karton | |
| Number Of Words | 128M |
| Bit Organization | x16 |
| Density | 2G |
| Internal Banks | 8 Banks |
| Generation | 6th Generation |
| Power | Low VDD(1.35V) |
Verfügbare Angebote
| Teilenummer | Menge | Datecode | |
|---|---|---|---|
| K4B2G1646E-BYH9 | 0 | Anfrage senden | |
| K4B2G1646E-BYH9 | 1.000 | Anfrage senden | |
| K4B2G1646E-BYH9 | 920 | Anfrage senden |
FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)
| Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
|---|---|---|---|---|
| MT41K128M16JT-15E:K | FBGA-96 | 1.35V | 1333 MBPS | 0 C~+85 C |
| MT41K128M16JT-15EESK | FBGA-96 | 1.35V | 1333 MBPS | 0 C~+85 C |
| MT41K128M16JT-15EK | FBGA-96 | 1.35V | 1333 MBPS | 0 C~+85 C |