K4B2G1646E-HCK0

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Hersteller-Nummer K4B2G1646E-HCK0
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR3 SDRAM
IC-Code 128MX16 DDR3
Andere Bezeichnungen K4B2G1646E-HCK0000

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-96
Verpackung TRAY
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.5 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 1600 MBPS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 128M
Bit Organization x16
Density 2G
Internal Banks 8 Banks
Generation 6th Generation
Power Normal Power

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4B2G1646Q-HCK0 FBGA-96 1.5 V 1600 MBPS 0 C~+85 C
K4B2G1646Q-OCK0 FBGA-96 1.5 V 1600 MBPS 0 C~+85 C
MT41J128M16JT-125 FBGA-96 1.5 V 1600 MBPS 0 C~+85 C
MT41J128M16JT-125 (:D/:M/:K) FBGA-96 1.5 V 1600 MBPS 0 C~+85 C
MT41J128M16JT-125 ES:K FBGA-96 1.5 V 1600 MBPS 0 C~+85 C
MT41J128M16JT-125:000 FBGA-96 1.5 V 1600 MBPS 0 C~+85 C
MT41J128M16JT-125:K T FBGA-96 1.5 V 1600 MBPS 0 C~+85 C
MT41J128M16JT-125:K TRAY FBGA-96 1.5 V 1600 MBPS 0 C~+85 C
MT41J128M16JT-125G:K FBGA-96 1.5 V 1600 MBPS 0 C~+85 C