K4B2G1646F-BHMA02V
Produktübersicht
Bilder dienen nur der Illustration
| Hersteller-Nummer | K4B2G1646F-BHMA02V |
| Hersteller | SAMSUNG |
| Produktkategorie | DDR3 SDRAM |
| IC-Code | 128MX16 DDR3 |
Produktbeschreibung
| Gehäuse | FBGA-96 |
| Verpackung | |
| RoHS | Leaded |
| Spannungsversorgung | 1.5 V |
| Betriebstemperatur | -40 C~+105 C |
| Geschwindigkeit | 1866 MBPS |
| Standard Stückzahl | |
| Abmessungen Karton | |
| Number Of Words | 128M |
| Bit Organization | x16 |
| Density | 2G |
| Internal Banks | 8 Banks |
| Power | Low, i-TCSR & PASR & DS |
| Generation | 7th Generation |
Verfügbare Angebote
| Teilenummer | Menge | Datecode | |
|---|---|---|---|
| K4B2G1646F-BHMA02V | 12.000 | 2022+ | Anfrage senden |
FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)
| Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
|---|---|---|---|---|
| IS46TR16128B-107MBLA2 | FBGA-96 | 1.5 V | 1866 MBPS | -40 C~+105 C |
| IS46TR16128B-107MBLA2-TR | FBGA-96 | 1.5 V | 1866 MBPS | -40 C~+105 C |
| IS46TR16128D-107MBLA2 | FBGA-96 | 1.5 V | 1866 MBPS | -40 C~+105 C |
| IS46TR16128D-107MBLA2-TR | FBGA-96 | 1.5 V | 1866 MBPS | -40 C~+105 C |