K4B2G1646Q-BYK0 IC
Produktübersicht
Bilder dienen nur der Illustration
| Hersteller-Nummer | K4B2G1646Q-BYK0 IC |
| Hersteller | SAMSUNG |
| Produktkategorie | DDR3L SDRAM |
| IC-Code | 128MX16 DDR3L |
Produktbeschreibung
| Gehäuse | BGA |
| Verpackung | |
| RoHS | RoHS |
| Spannungsversorgung | 1.35 V |
| Betriebstemperatur | 0 C~+85 C |
| Geschwindigkeit | 1600 MBPS |
| Standard Stückzahl | |
| Abmessungen Karton | |
| Number Of Words | 128M |
| Bit Organization | x16 |
| Density | 2G |
| Internal Banks | 8 Banks |
| Power | Low VDD(1.35V) |
| Generation | 17th Generation |
Verfügbare Angebote
| Teilenummer | Menge | Datecode | |
|---|---|---|---|
| K4B2G1646Q-BYK0 IC | 500 | 15+ | Anfrage senden |