K4B4G0846A-HYK0

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Hersteller-Nummer K4B4G0846A-HYK0
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR3L SDRAM
IC-Code 512MX8 DDR3L

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-78
Verpackung TRAY
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.35V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 1600 MBPS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 512M
Bit Organization x8
Density 4G
Internal Banks 8 Banks
Generation 2nd Generation
Power Low VDD(1.35V)

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
MT41K512M8RH-125 V:E FBGA-78 1.35V 1600 MBPS 0 C~+85 C
MT41K512M8RH-125: FBGA-78 1.35V 1600 MBPS 0 C~+85 C
MT41K512M8RH-125:D FBGA-78 1.35V 1600 MBPS 0 C~+85 C
MT41K512M8RH-125:E FBGA-78 1.35V 1600 MBPS 0 C~+85 C
MT41K512M8RH-125:E (2K/REEL) FBGA-78 1.35V 1600 MBPS 0 C~+85 C
MT41K512M8RH-125:E 3.45 FBGA-78 1.35V 1600 MBPS 0 C~+85 C
MT41K512M8RH-125:E TR FBGA-78 1.35V 1600 MBPS 0 C~+85 C
MT41K512M8RH-125:E(DC 1320) FBGA-78 1.35V 1600 MBPS 0 C~+85 C
MT41K512M8RH-125:ETR FBGA-78 1.35V 1600 MBPS 0 C~+85 C
MT41K512M8RH-125:ETR(10) FBGA-78 1.35V 1600 MBPS 0 C~+85 C