K4B4G0846D-BYK0S3

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Hersteller-Nummer K4B4G0846D-BYK0S3
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR3L SDRAM
IC-Code 512MX8 DDR3L

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-78
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.35V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 1600 MBPS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 512M
Bit Organization x8
Density 4G
Internal Banks 8 Banks
Generation 5th Generation
Power Low VDD(1.35V)

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4B4G0846D-BYK0S3 100,000+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
MT41K512M8RA-125 M:D FBGA-78 1.35V 1600 MBPS 0 C~+85 C
MT41K512M8RA-125 S:D FBGA-78 1.35V 1600 MBPS 0 C~+85 C
MT41K512M8RA-125:D FBGA-78 1.35V 1600 MBPS 0 C~+85 C
MT41K512M8RA-125:D D9PCP FBGA-78 1.35V 1600 MBPS 0 C~+85 C
MT41K512M8RA-125:D IC FBGA-78 1.35V 1600 MBPS 0 C~+85 C
MT41K512M8RA-125:E FBGA-78 1.35V 1600 MBPS 0 C~+85 C
MT41K512M8RA-125:K FBGA-78 1.35V 1600 MBPS 0 C~+85 C
MT41K512M8RA-125D FBGA-78 1.35V 1600 MBPS 0 C~+85 C
MT41K512M8RA-125M FBGA-78 1.35V 1600 MBPS 0 C~+85 C
MT41K512M8RG-125 ES:N FBGA-78 1.35V 1600 MBPS 0 C~+85 C