K4B4G0846Q-HYKO

Produktübersicht

IC Picture

Bilder dienen nur der Illustration

Hersteller-Nummer K4B4G0846Q-HYKO
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR3L SDRAM
IC-Code 512MX8 DDR3L

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-78
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.35V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 1600 MBPS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 512M
Bit Organization x8
Density 4G
Internal Banks 8 Banks
Generation 17th Generation
Power Low VDD(1.35V)

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4B4G0846Q-HYKO 1.857 Anfrage senden
K4B4G0846Q-HYKO 5.500 Anfrage senden
K4B4G0846Q-HYKO 500 15+ Anfrage senden
K4B4G0846Q-HYKO 0 Anfrage senden
K4B4G0846Q-HYKO 12.500 Anfrage senden
K4B4G0846Q-HYKO 600 15+ Anfrage senden
K4B4G0846Q-HYKO 10.000 2015+ Anfrage senden
K4B4G0846Q-HYKO 6.000 Anfrage senden
K4B4G0846Q-HYKO 0 Anfrage senden
K4B4G0846Q-HYKO 30.000 2014+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
MT41K512M8THV-125 ES:M FBGA-78 1.35V 1600 MBPS 0 C~+85 C
MT41K512M8THV-125:H FBGA-78 1.35V 1600 MBPS 0 C~+85 C
MT41K512M8THV-125:M FBGA-78 1.35V 1600 MBPS 0 C~+85 C
MT41K512M8THV-125M FBGA-78 1.35V 1600 MBPS 0 C~+85 C