K4B4G1646D-BHMAT2V

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K4B4G1646D-BHMAT2V
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR3L SDRAM
IC-Code 256MX16 DDR3L

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-96
Verpackung TAPE ON REEL
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.35V
Betriebstemperatur -40 C~+105 C
Geschwindigkeit 1866 MBPS
Standard Stückzahl 2000
Abmessungen Karton
Number Of Words 256M
Bit Organization x16
Density 4G
Internal Banks 8 Banks
Generation 5th Generation
Power Low, i-TCSR & PASR & DS

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4B4G1646D-BHMAT2V 78.000 WITHIN 2 Y Anfrage senden
K4B4G1646D-BHMAT2V 10.000 Anfrage senden

Cross Reference

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4B4G1646D-BFMAT3V FBGA-96 1.35V 1866 MBPS -40 C~+95 C

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
MT41K256M16TW-107 AAT:P FBGA-96 1.35V 1866 MBPS -40 C~+105 C
MT41K256M16TW-107 AAT:P D FBGA-96 1.35V 1866 MBPS -40 C~+105 C
MT41K256M16TW-107 AAT:P TR FBGA-96 1.35V 1866 MBPS -40 C~+105 C
MT41K256M16TW-107 AAT:R FBGA-96 1.35V 1866 MBPS -40 C~+105 C
MT41K256M16TW-107AAT FBGA-96 1.35V 1866 MBPS -40 C~+105 C
MT41K256M16TW-107AATP FBGA-96 1.35V 1866 MBPS -40 C~+105 C
MT41K256M16TW-107AATPD FBGA-96 1.35V 1866 MBPS -40 C~+105 C
NT5CC256M16ER-EKH TFBGA-96 1.35V 1866 MBPS -40 C~+105 C
NT5CC256M16ER-EKH TR TFBGA-96 1.35V 1866 MBPS -40 C~+105 C