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Hersteller-Nummer | K4B4G1646E-BYK0TDT |
Hersteller | SAMSUNG |
Produktkategorie | DDR3L SDRAM |
IC-Code | 256MX16 DDR3L |
Gehäuse | FBGA-96 |
Verpackung | TAPE ON REEL |
RoHS | RoHS |
Spannungsversorgung | 1.35V |
Betriebstemperatur | 0 C~+85 C |
Geschwindigkeit | 1600 MBPS |
Standard Stückzahl | |
Abmessungen Karton | |
Number Of Words | 256M |
Bit Organization | x16 |
Density | 4G |
Internal Banks | 8 Banks |
Generation | 6th Generation |
Power | Low VDD(1.35V) |
Teilenummer | Menge | Datecode | |
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K4B4G1646E-BYK0TDT | 20.000 | Anfrage senden | |
K4B4G1646E-BYK0TDT | 46.000 | Anfrage senden |
Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
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MT41K256M16RE-125M | FBGA-96 | 1.35V | 1600 MBPS | 0 C~+85 C |
MT41K256M16RH-125:E | FBGA-96 | 1.35V | 1600 MBPS | 0 C~+85 C |
MT41K256M16TW-125 P | FBGA-96 | 1.35V | 1600 MBPS | 0 C~+85 C |
MT41K256M16TW-125:P | FBGA-96 | 1.35V | 1600 MBPS | 0 C~+85 C |
MT41K256M16TW-125:P TR | FBGA-96 | 1.35V | 1600 MBPS | 0 C~+85 C |
MT41K256M16TW-125P | FBGA-96 | 1.35V | 1600 MBPS | 0 C~+85 C |