K4B4G1646Q-HYKO

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Hersteller-Nummer K4B4G1646Q-HYKO
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR3L SDRAM
IC-Code 256MX16 DDR3L

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-96
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.35V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 1600 MBPS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 256M
Bit Organization x16
Density 4G
Internal Banks 8 Banks
Generation 17th Generation
Power Low VDD(1.35V)

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4B4G1646Q-HYKO 58 Anfrage senden
K4B4G1646Q-HYKO 4.000 Anfrage senden
K4B4G1646Q-HYKO 0 Anfrage senden
K4B4G1646Q-HYKO 12.500 Anfrage senden
K4B4G1646Q-HYKO 12.800 15+ Anfrage senden
K4B4G1646Q-HYKO 5.120 Anfrage senden
K4B4G1646Q-HYKO 12.800 14+ Anfrage senden
K4B4G1646Q-HYKO 6.000 Anfrage senden
K4B4G1646Q-HYKO 50.000 14+ Anfrage senden
K4B4G1646Q-HYKO 50.000 2014+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
MT41K256M16RE-125M FBGA-96 1.35V 1600 MBPS 0 C~+85 C
MT41K256M16RH-125:E FBGA-96 1.35V 1600 MBPS 0 C~+85 C
MT41K256M16TW-125 P FBGA-96 1.35V 1600 MBPS 0 C~+85 C
MT41K256M16TW-125:P FBGA-96 1.35V 1600 MBPS 0 C~+85 C
MT41K256M16TW-125:P TR FBGA-96 1.35V 1600 MBPS 0 C~+85 C
MT41K256M16TW-125P FBGA-96 1.35V 1600 MBPS 0 C~+85 C