K4D551638D-TC50
Produktübersicht
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| Hersteller-Nummer | K4D551638D-TC50 |
| Hersteller | SAMSUNG |
| Produktkategorie | DDR1 SDRAM |
| IC-Code | 16MX16 DDR1 |
| Andere Bezeichnungen | K4D551638D-TC50T0 |
| K4D551638D-TC50T00 |
Produktbeschreibung
| Gehäuse | TSOP2 |
| Verpackung | |
| RoHS | Leaded |
| Spannungsversorgung | 2.5 V |
| Betriebstemperatur | 0 C~+85 C |
| Geschwindigkeit | 5.0ns (200MHz) |
| Standard Stückzahl | |
| Abmessungen Karton | |
| Number Of Words | 16M |
| Bit Organization | x16 |
| Density | 256M |
| Internal Banks | 4 Banks |
| Power | Normal Power |
| Generation | 5th Generation |
Verfügbare Angebote
| Teilenummer | Menge | Datecode | |
|---|---|---|---|
| K4D551638D-TC50 | 4.000 | Anfrage senden | |
| K4D551638D-TC50 | 12.500 | Anfrage senden | |
| K4D551638D-TC50 | 2.000 | 2009+ | Anfrage senden |
| K4D551638D-TC50 | 2.210 | 2006+ | Anfrage senden |
| K4D551638D-TC50 | 1.258 | 2007+ | Anfrage senden |
| K4D551638D-TC50 | 960 | Anfrage senden | |
| K4D551638D-TC50 | 52 | Anfrage senden | |
| K4D551638D-TC50 | 925 | 0319 | Anfrage senden |
| K4D551638D-TC50 | 12.000 | Anfrage senden | |
| K4D551638D-TC50 | 1.300 | 2004+ | Anfrage senden |