K4D551638E-TC40
Produktübersicht
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| Hersteller-Nummer | K4D551638E-TC40 |
| Hersteller | SAMSUNG |
| Produktkategorie | DDR1 SDRAM |
| IC-Code | 16MX16 DDR1 |
| Andere Bezeichnungen | K4D551638E-TC40T00 |
Produktbeschreibung
| Gehäuse | TSOP2 |
| Verpackung | |
| RoHS | Leaded |
| Spannungsversorgung | 2.5 V |
| Betriebstemperatur | 0 C~+85 C |
| Geschwindigkeit | 4.0ns (250MHz) |
| Standard Stückzahl | |
| Abmessungen Karton | |
| Number Of Words | 16M |
| Bit Organization | x16 |
| Density | 256M |
| Internal Banks | 4 Banks |
| Power | Normal Power |
| Generation | 6th Generation |
Verfügbare Angebote
| Teilenummer | Menge | Datecode | |
|---|---|---|---|
| K4D551638E-TC40 | 16.000 | 05 | Anfrage senden |
| K4D551638E-TC40 | 2.000 | Anfrage senden | |
| K4D551638E-TC40T00 | 10.000 | 2003+ | Anfrage senden |