K4E151611C-JL50

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K4E151611C-JL50
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DRAM
IC-Code 1MX16 EDO
Andere Bezeichnungen K4E151611C-JL50000

Produktbeschreibung

Gehäuse SOJ-42
Verpackung TRAY
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 5.0 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 50 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Bit Organization x16
Generation 4th Generation
Power Low Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4E151611C-JL50 12.000 Anfrage senden
K4E151611C-JL50 3.200 2005+ Anfrage senden
K4E151611C-JL50 38.500 2005+ Anfrage senden
K4E151611C-JL50 10.000 2003+ Anfrage senden
K4E151611C-JL50 10.000 2006+ Anfrage senden
K4E151611C-JL50 20.000 2003+ Anfrage senden
K4E151611C-JL50 2.000 2001+ Anfrage senden
K4E151611C-JL50 16.200 2003+ Anfrage senden
K4E151611C-JL50 18.200 2003+ Anfrage senden
K4E151611C-JL50 10.860 03+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
HY5118164BJC-50 SOJ-42 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
HY5118164CJC-50 SOJ-42 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
HY5118164CJC050 SOJ-42 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
IC41C16100-50K SOJ-42 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
IC41C16100-50K-04 SOJ-42 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
IC41C16100-50K-T SOJ-42 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
IC41C16100A-50K SOJ-42 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
IC41C16100AS-50K SOJ-42 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
IC41C16100AS-50K-T SOJ-42 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
IC41C16100S-50K SOJ-42 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C