K4E151611C-TC45

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer	K4E151611C-TC45
Hersteller	SAMSUNG
Produktkategorie	DRAM
IC-Code	1MX16 EDO
Andere Bezeichnungen	K4E151611C-TC45T
	K4E151611C-TC45T00
	K4E151611C-TC45T001

Produktbeschreibung

Gehäuse	TSOP2(44/50)
Verpackung
RoHS	Leaded
Spannungsversorgung	5.0 V
Betriebstemperatur	0 C~+85 C
Geschwindigkeit	45 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Bit Organization	x16
Power	Normal Power
Generation	4th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer	Menge	Datecode
K4E151611C-TC45	6.500		Anfrage senden
K4E151611C-TC45T00	4.000		Anfrage senden
K4E151611C-TC45	995	00+	Anfrage senden
K4E151611C-TC45	995		Anfrage senden
K4E151611C-TC45T00	2.000		Anfrage senden
K4E151611C-TC45T00	1.000	2000	Anfrage senden
K4E151611C-TC45	5.000	2003+	Anfrage senden
K4E151611C-TC45T00	800		Anfrage senden
K4E151611C-TC45T00	1.000		Anfrage senden
K4E151611C-TC45T00	1.000	N/A	Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer	Gehäuse	Spannungsversorgung	Geschwindigkeit	Betriebstemperatur
IS41C16100S-45T	TSOP2(50)	5.0 V	45 NS	0 C~+85 C
K4E151611CTC4	TSOP2(44/50)	5.0 V	45 NS	0 C~+85 C