K4E151611D-IC50

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Hersteller-Nummer K4E151611D-IC50
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DRAM
IC-Code 1MX16 EDO

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(44/50)
Verpackung TRAY
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 5.0 V
Betriebstemperatur -40 C~+85 C
Geschwindigkeit 50 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Bit Organization x16
Power Normal Power
Generation 5th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4E151611D-IC50 4.000 99+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
AS4C1M16E5-50TI TSOP2(44/50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C
AS4C1M16E5-50TIN TSOP2(44/50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C
AS4C1M16EO-50TI TSOP2(44/50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C
AS4C1M16EO-50TIN TSOP2(44/50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C
IC41C16100-50TI TSOP2(44/50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C
IC41C16100S-50TI TSOP2(44/50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C
IS41C16100-50T/TI TSOP2(44/50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C
IS41C16100-50TI TSOP2(44/50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C
IS41C16100-50TIX TSOP2(44/50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C
IS41C16100-50TLI TSOP2(44/50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C