K4E151611D-TC50T00SAM

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K4E151611D-TC50T00SAM
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DRAM
IC-Code 1MX16 EDO

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(44/50)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 5.0 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 50 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Bit Organization x16
Power Normal Power
Generation 5th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4E151611D-TC50T00SAM 4.000 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
IC41C16100-50T TSOP2(44/50) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
IC41C161005-50T TSOP2(44/50) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
IC41C16100A-50T TSOP2(44/50) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
IC41C16100AS-50T TSOP2(44/50) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
IC41C16100S-50T TSOP2(44/50) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
IC41C16100S-50TG TSOP2(44/50) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
IC41C16100S-50TG TSOP TSOP2(44/50) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
IS41C16100-50T TSOP2(44/50) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
IS41C16100-50TE TSOP2(44/50) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
IS41C16100-50TL TSOP2(44/50) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C