K4E151611D-TC60

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer	K4E151611D-TC60
Hersteller	SAMSUNG
Produktkategorie	DRAM
IC-Code	1MX16 EDO
Andere Bezeichnungen	K4E151611D-TC6000
	K4E151611D-TC60000
	K4E151611D-TC60T
	K4E151611D-TC60T00
	K4E151611D-TC60TOO
	K4E151611DTC6000

Produktbeschreibung

Gehäuse	TSOP2(44/50)
Verpackung	TRAY
RoHS	Leaded
Spannungsversorgung	5.0 V
Betriebstemperatur	0 C~+85 C
Geschwindigkeit	60 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Bit Organization	x16
Power	Normal Power
Generation	5th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer	Menge	Datecode
K4E151611D-TC60	980	0106+	Anfrage senden
K4E151611D-TC60	4.000		Anfrage senden
K4E151611D-TC60	985	0106+	Anfrage senden
K4E151611D-TC60	306	01+	Anfrage senden
K4E151611D-TC60	3.300	07+	Anfrage senden
K4E151611D-TC60	646	2002+	Anfrage senden
K4E151611D-TC60	12.000		Anfrage senden
K4E151611D-TC60	1.005	2001+	Anfrage senden
K4E151611D-TC60	1.000	N/A	Anfrage senden
K4E151611D-TC60	10.000	2003+	Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer	Gehäuse	Spannungsversorgung	Geschwindigkeit	Betriebstemperatur
IC41C16100-60T	TSOP2(44/50)	5.0 V	60 NS	0 C~+85 C
IC41C16100A-60T	TSOP2(44/50)	5.0 V	60 NS	0 C~+85 C
IC41C16100AS-60T	TSOP2(44/50)	5.0 V	60 NS	0 C~+85 C
IC41C16100S-60T	TSOP2(44/50)	5.0 V	60 NS	0 C~+85 C
IS41C16100-50/60T	TSOP2(44/50)	5.0 V	60 NS	0 C~+85 C
IS41C16100-60T	TSOP2(44/50)	5.0 V	60 NS	0 C~+85 C
IS41C16100-60TE	TSOP2(44/50)	5.0 V	60 NS	0 C~+85 C
IS41C16100-60TL	TSOP2(44/50)	5.0 V	60 NS	0 C~+85 C
IS41C16100-60TL-TR	TSOP2(44/50)	5.0 V	60 NS	0 C~+85 C
IS41C16100-60TX	TSOP2(44/50)	5.0 V	60 NS	0 C~+85 C