K4E151612-TL50

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Hersteller-Nummer K4E151612-TL50
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DRAM
IC-Code 1MX16 EDO

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(44/50)
Verpackung TRAY
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 50 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4E151612-TL50 600 1999 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
IC41LV16100-50T TSOP2(44/50) 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
IC41LV16100-50TG TSOP2(44/50) 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
IC41LV16100A-50T TSOP2(44/50) 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
IC41LV16100A-50TG TSOP2(44/50) 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
IC41LV16100AS-50T TSOP2(44/50) 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
IC41LV16100AS-50TG TSOP2(44/50) 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
IC41LV16100AS50T TSOP2(44/50) 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
IC41LV16100B-50T TSOP2(44/50) 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
IC41LV16100B-50TL TSOP2(44/50) 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
IC41LV16100S-50T TSOP2(44/50) 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C