K4E151612C-JL50

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Hersteller-Nummer K4E151612C-JL50
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DRAM
IC-Code 1MX16 EDO

Produktbeschreibung

Gehäuse SOJ-42
Verpackung TRAY
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 50 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Bit Organization x16
Generation 4th Generation
Power Low Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4E151612C-JL50 12.000 Anfrage senden
K4E151612C-JL50 10.000 2003+ Anfrage senden
K4E151612C-JL50 20.000 2003+ Anfrage senden
K4E151612C-JL50 19.003 2003+ Anfrage senden
K4E151612C-JL50 17.900 2003+ Anfrage senden
K4E151612C-JL50 10.350 03+ Anfrage senden
K4E151612C-JL50 5.000 2003+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
IS41LV16100B-50KL SOJ-42 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
IS41LV16100B-50KL-TR SOJ-42 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
IS41LV16100C-50KL SOJ-42 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
IS41LV16100S-50/60K SOJ-42 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
IS41LV16100S-50KG SOJ-42 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
IS41LV16100S-50KL SOJ-42 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
IS41S16100S-50K SOJ-42 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
ISS41LV1610050K SOJ-42 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E151612C-JC50 SOJ-42 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E151612D-JC50 SOJ-42 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C