K4E151612C-JL60

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Hersteller-Nummer K4E151612C-JL60
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DRAM
IC-Code 1MX16 EDO

Produktbeschreibung

Gehäuse SOJ-42
Verpackung TRAY
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 60 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Bit Organization x16
Generation 4th Generation
Power Low Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4E151612C-JL60 12.000 Anfrage senden
K4E151612C-JL60 10.000 2003+ Anfrage senden
K4E151612C-JL60 20.000 2003+ Anfrage senden
K4E151612C-JL60 18.209 2003+ Anfrage senden
K4E151612C-JL60 14.900 2003+ Anfrage senden
K4E151612C-JL60 10.350 03+ Anfrage senden
K4E151612C-JL60 5.000 2003+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
HY51V16164BJC-6 SOJ-42 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
HY51V16164BJC-60 SOJ-42 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
HY51V18164B JC-60 SOJ-42 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
HY51V18164BJC-6 SOJ-42 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
HY51V18164BJC-60 SOJ-42 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
HY51V18164CJC-6 SOJ-42 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
HY51V18164CJC-60 SOJ-42 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
HY51V18164CJC-60 (1MX16/EDO/3. SOJ-42 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
HY51V18164CJC-60D SOJ-42 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
HY51V18164CJC-60DR SOJ-42 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C