K4E151612CJC6

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer	K4E151612CJC6
Hersteller	SAMSUNG
Produktkategorie	DRAM
IC-Code	1MX16 EDO
Andere Bezeichnungen	K4E151612C-JC60
	K4E151612C-JC60000
	K4E151612C-JC60T
	K4E151612C-JC60T00

Produktbeschreibung

Gehäuse	SOJ-42
Verpackung
RoHS	Leaded
Spannungsversorgung	3.3 V
Betriebstemperatur	0 C~+85 C
Geschwindigkeit	60 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Bit Organization	x16
Power	Normal Power
Generation	4th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer	Menge	Datecode
K4E151612C-JC60	4.000		Anfrage senden
K4E151612C-JC60	100	7	Anfrage senden
K4E151612C-JC60	4.000		Anfrage senden
K4E151612C-JC60	2.258	2005+	Anfrage senden
K4E151612C-JC60	8.336	2005+	Anfrage senden
K4E151612C-JC60	12.000		Anfrage senden
K4E151612C-JC60	10.000	2003+	Anfrage senden
K4E151612C-JC60	20.000	2003+	Anfrage senden
K4E151612C-JC60	9.880	2003+	Anfrage senden
K4E151612C-JC60	10.350	03+	Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer	Gehäuse	Spannungsversorgung	Geschwindigkeit	Betriebstemperatur
HY51V16164BJC-6	SOJ-42	3.3 V	60 NS	0 C~+85 C
HY51V16164BJC-60	SOJ-42	3.3 V	60 NS	0 C~+85 C
HY51V18164B JC-60	SOJ-42	3.3 V	60 NS	0 C~+85 C
HY51V18164BJC-6	SOJ-42	3.3 V	60 NS	0 C~+85 C
HY51V18164BJC-60	SOJ-42	3.3 V	60 NS	0 C~+85 C
HY51V18164CJC-6	SOJ-42	3.3 V	60 NS	0 C~+85 C
HY51V18164CJC-60	SOJ-42	3.3 V	60 NS	0 C~+85 C
HY51V18164CJC-60 (1MX16/EDO/3.	SOJ-42	3.3 V	60 NS	0 C~+85 C
HY51V18164CJC-60D	SOJ-42	3.3 V	60 NS	0 C~+85 C
HY51V18164CJC-60DR	SOJ-42	3.3 V	60 NS	0 C~+85 C