K4E151612D-TC50

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Hersteller-Nummer K4E151612D-TC50
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DRAM
IC-Code 1MX16 EDO
Andere Bezeichnungen K4E151612D-TC50000
K4E151612D-TC50000(00
K4E151612D-TC50T
K4E151612D-TC50T00
K4E151612DTC5060
K4E151612DTC50TOO

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(44/50)
Verpackung TRAY
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 50 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Bit Organization x16
Power Normal Power
Generation 5th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4E151612D-TC50 6.500 Anfrage senden
K4E151612D-TC50 26 DC04 Anfrage senden
K4E151612D-TC50 26 4 Anfrage senden
K4E151612D-TC50T 5.006 2008+ Anfrage senden
K4E151612D-TC50 6.380 201025 Anfrage senden
K4E151612DTC50TOO 2.258 2005+ Anfrage senden
K4E151612DTC50TOO 8.336 2005+ Anfrage senden
K4E151612D-TC50 3.200 08+ Anfrage senden
K4E151612DTC50TOO 12.000 Anfrage senden
K4E151612D-TC50 2.580 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
IC41LV16100-50T TSOP2(44/50) 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
IC41LV16100-50TG TSOP2(44/50) 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
IC41LV16100A-50T TSOP2(44/50) 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
IC41LV16100A-50TG TSOP2(44/50) 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
IC41LV16100AS-50T TSOP2(44/50) 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
IC41LV16100AS-50TG TSOP2(44/50) 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
IC41LV16100AS50T TSOP2(44/50) 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
IC41LV16100B-50T TSOP2(44/50) 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
IC41LV16100B-50TL TSOP2(44/50) 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
IC41LV16100S-50T TSOP2(44/50) 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C