K4E151612D

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K4E151612D
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DRAM
IC-Code 1MX16 EDO
Andere Bezeichnungen K4E151612D-T-6
K4E151612D-TC6
K4E151612D-TC60
K4E151612D-TC6000
K4E151612D-TC60000
K4E151612D-TC60T00
K4E151612D-TL50
K4E151612D-TL500
K4E151612D-TL50000
K4E151612D-TL50T00
K4E151612DT-L5
K4E151612DT60

Produktbeschreibung

Gehäuse
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 60 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4E151612D-TC60 30.000 00+ Anfrage senden
K4E151612D-TL50 4.000 Anfrage senden
K4E151612D-TC60 30.000 00 Anfrage senden
K4E151612D-TC60 500 NA Anfrage senden
K4E151612D-TC60 1.000 ‘0123 Anfrage senden
K4E151612D-TC60 1.000 4 Anfrage senden
K4E151612D-TL50 1.316 2004+ Anfrage senden
K4E151612D-TL50 1.316 2003+ Anfrage senden
K4E151612D-TC60 1.000 Anfrage senden
K4E151612D-TC60 4.000 Anfrage senden

Cross Reference

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
IS41LV16100 3.3 V 0 C~+85 C