K4E151612D-TC60T00SAM

Produktübersicht

IC Picture

Bilder dienen nur der Illustration

Hersteller-Nummer K4E151612D-TC60T00SAM
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DRAM
IC-Code 1MX16 EDO

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(44/50)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 60 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Bit Organization x16
Power Normal Power
Generation 5th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4E151612D-TC60T00SAM 100.000 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
HY51V18164CJC-60 T/R TSOP2(44/50) 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
HY51V18164CJC-60T TSOP2(44/50) 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
IC41LV1610060T TSOP2(44/50) 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
IC41LV16100A-60T TSOP2(44/50) 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
IC41LV16100S-60T TSOP2(44/50) 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
IC41LV16100S-60TG TSOP2(44/50) 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
IC41LV16100S-60TOR TSOP2(44/50) 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
IS41LV16100(S)-50/60 TSOP2(44/50) 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
IS41LV16100-60LT TSOP2(44/50) 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
IS41LV16100-60T TSOP2(44/50) 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C