K4E151612D-TL60

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Hersteller-Nummer K4E151612D-TL60
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DRAM
IC-Code 1MX16 EDO
Andere Bezeichnungen K4E151612D-TL600
K4E151612D-TL6000
K4E151612D-TL60000
K4E151612D-TL60T00
K4E151612DTL60T

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(44/50)
Verpackung TRAY
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 60 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Bit Organization x16
Power Low Power
Generation 5th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4E151612D-TL60 4.000 Anfrage senden
K4E151612D-TL60 130 5 Anfrage senden
K4E151612D-TL60 582 00+ Anfrage senden
K4E151612D-TL60 500 2001+ Anfrage senden
K4E151612D-TL60 3.120 Anfrage senden
K4E151612D-TL60 1.130 2010+ Anfrage senden
K4E151612D-TL60 1.000 2000+ Anfrage senden
K4E151612D-TL60 4.562 2009+ Anfrage senden
K4E151612D-TL60 3.564 2009+ Anfrage senden
K4E151612D-TL60 4.561 2002+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
HY51V18164CJC-60 T/R TSOP2(44/50) 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
HY51V18164CJC-60T TSOP2(44/50) 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
IC41LV1610060T TSOP2(44/50) 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
IC41LV16100A-60T TSOP2(44/50) 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
IC41LV16100S-60T TSOP2(44/50) 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
IC41LV16100S-60TG TSOP2(44/50) 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
IC41LV16100S-60TOR TSOP2(44/50) 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
IS41LV16100(S)-50/60 TSOP2(44/50) 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
IS41LV16100-60LT TSOP2(44/50) 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
IS41LV16100-60T TSOP2(44/50) 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C