K4E160411C-BC60

Produktübersicht

IC Picture

Bilder dienen nur der Illustration

Hersteller-Nummer K4E160411C-BC60
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DRAM
IC-Code 4MX4 EDO
Andere Bezeichnungen K4E160411C-BC60000

Produktbeschreibung

Gehäuse SOJ-24/26
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 5.0 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 60 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 4M
Bit Organization x4
Density 16M
Generation 4th Generation
Power Normal Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4E160411C-BC60 4.000 Anfrage senden
K4E160411C-BC60 1.000 2000 Anfrage senden
K4E160411C-BC60 12.000 Anfrage senden
K4E160411C-BC60 10.000 2003+ Anfrage senden
K4E160411C-BC60 20.000 2003+ Anfrage senden
K4E160411C-BC60 16.200 2003+ Anfrage senden
K4E160411C-BC60 6.988 2003+ Anfrage senden
K4E160411C-BC60 18.400 2003+ Anfrage senden
K4E160411C-BC60 10.850 03+ Anfrage senden
K4E160411C-BC60 4.000 2003 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
HY5116404-6 SOJ-24/26 5.0 V 60 NS 0 C~+85 C
HY5116404AJ60 SOJ-24/26 5.0 V 60 NS 0 C~+85 C
HY5116404BJ-60 SOJ-24/26 5.0 V 60 NS 0 C~+85 C
HY5116404CJ6 SOJ-24/26 5.0 V 60 NS 0 C~+85 C
HY5116404CJ60 SOJ-24/26 5.0 V 60 NS 0 C~+85 C
HY5117404A/B/CJ-60 SOJ-24/26 5.0 V 60 NS 0 C~+85 C
HY5117404AJ-60 SOJ-24/26 5.0 V 60 NS 0 C~+85 C
HY5117404AJ-60DR SOJ-24/26 5.0 V 60 NS 0 C~+85 C
HY5117404AJ6 SOJ-24/26 5.0 V 60 NS 0 C~+85 C
HY5117404BJ-60 SOJ-24/26 5.0 V 60 NS 0 C~+85 C