K4E160411C-TC60000

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Hersteller-Nummer K4E160411C-TC60000
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DRAM
IC-Code 4MX4 EDO

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(24/26)
Verpackung TRAY
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 5.0 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 6.0ns (166MHz CL=3)
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 4M
Bit Organization x4
Density 16M
Power Normal Power
Generation 4th Generation