K4E160411CTC5060

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Hersteller-Nummer K4E160411CTC5060
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DRAM
IC-Code 4MX4 EDO

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(24/26)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 5.0 V
Betriebstemperatur 0 C~+70 C
Geschwindigkeit 60 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 4M
Bit Organization x4
Density 16M
Power Normal Power
Generation 4th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4E160411CTC5060 12.000 Anfrage senden
K4E160411CTC5060 17.900 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
AS4C4M4E1-60TC TSOP2(24/26) 5.0 V 60 NS 0 C~+70 C
AS4C4M4E1-60TCN TSOP2(24/26) 5.0 V 60 NS 0 C~+70 C
GM71C16403BT6 TSOP2(24/26) 5.0 V 60 NS 0 C~+70 C
GM71C16403CLT-6 TSOP2(24/26) 5.0 V 60 NS 0 C~+70 C
GM71C16403CT-6 TSOP2(24/26) 5.0 V 60 NS 0 C~+70 C
GM71C16403CT-60 TSOP2(24/26) 5.0 V 60 NS 0 C~+70 C
GM71C17403-6 TSOP2(24/26) 5.0 V 60 NS 0 C~+70 C
GM71C17403BT-6 TSOP2(24/26) 5.0 V 60 NS 0 C~+70 C
GM71C17403C6-6 TSOP2(24/26) 5.0 V 60 NS 0 C~+70 C
GM71C17403CLT-6 TSOP2(24/26) 5.0 V 60 NS 0 C~+70 C