K4E160411D-FC50

Produktübersicht

IC Picture

Bilder dienen nur der Illustration

Hersteller-Nummer K4E160411D-FC50
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DRAM
IC-Code 4MX4 EDO

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(24/26)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 5.0 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 50 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 4M
Bit Organization x4
Density 16M
Power Normal Power
Generation 5th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4E160411D-FC50 12.000 Anfrage senden
K4E160411D-FC50 10.000 2003+ Anfrage senden
K4E160411D-FC50 20.000 2003+ Anfrage senden
K4E160411D-FC50 6.988 2003+ Anfrage senden
K4E160411D-FC50 9.000 2003+ Anfrage senden
K4E160411D-FC50 10.850 03+ Anfrage senden
K4E160411D-FC50 5.000 2003+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
HY5117404BT-5 TSOP2(24/26) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
HY5117404BT-50 TSOP2(24/26) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
HY5117404CT-5 TSOP2(24/26) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
HY5117404CT-50 TSOP2(24/26) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E160411C-FC50 TSOP2(24/26) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E160411C-FL50 TSOP2(24/26) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E160411D-FL50 TSOP2(24/26) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C