K4E160411D-FL60

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K4E160411D-FL60
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DRAM
IC-Code 4MX4 EDO
Andere Bezeichnungen K4E160411D-FL600
K4E160411D-FL6000
K4E160411D-FL60000

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(24/26)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 5.0 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 60 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 4M
Bit Organization x4
Density 16M
Power Low Power
Generation 5th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4E160411D-FL60 4.000 Anfrage senden
K4E160411D-FL60 12.000 Anfrage senden
K4E160411D-FL60 10.000 2003+ Anfrage senden
K4E160411D-FL60 20.000 2003+ Anfrage senden
K4E160411D-FL60 18.000 2003+ Anfrage senden
K4E160411D-FL60 6.988 2003+ Anfrage senden
K4E160411D-FL60 16.700 2003+ Anfrage senden
K4E160411D-FL60 10.455 03+ Anfrage senden
K4E160411D-FL60 5.000 2003+ Anfrage senden
K4E160411D-FL6000 3.360 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
HY5116404AT60 TSOP2(24/26) 5.0 V 60 NS 0 C~+85 C
HY5116404BT60 TSOP2(24/26) 5.0 V 60 NS 0 C~+85 C
HY5116404CT60 TSOP2(24/26) 5.0 V 60 NS 0 C~+85 C
HY5117404 - 60 TSOP2(24/26) 5.0 V 60 NS 0 C~+85 C
HY5117404-6 TSOP2(24/26) 5.0 V 60 NS 0 C~+85 C
HY5117404AT-60 TSOP2(24/26) 5.0 V 60 NS 0 C~+85 C
HY5117404BT-6 TSOP2(24/26) 5.0 V 60 NS 0 C~+85 C
HY5117404BT60 TSOP2(24/26) 5.0 V 60 NS 0 C~+85 C
HY5117404CT-6 TSOP2(24/26) 5.0 V 60 NS 0 C~+85 C
HY5117404CT-60 TSOP2(24/26) 5.0 V 60 NS 0 C~+85 C