K4E160412D-BL60

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Hersteller-Nummer K4E160412D-BL60
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DRAM
IC-Code 4MX4 EDO

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 60 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 4M
Bit Organization x4
Density 16M
Power Low Power
Generation 5th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4E160412D-BL60 12.000 Anfrage senden
K4E160412D-BL60 10.000 2003+ Anfrage senden
K4E160412D-BL60 20.000 2003+ Anfrage senden
K4E160412D-BL60 18.000 2003+ Anfrage senden
K4E160412D-BL60 6.988 2003+ Anfrage senden
K4E160412D-BL60 15.000 2003+ Anfrage senden
K4E160412D-BL60 10.455 03+ Anfrage senden
K4E160412D-BL60 5.000 2003+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4E160412C-BC60 FBGA 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
K4E160412C-BL60 FBGA 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
K4E160412C-FL60 FBGA 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
K4E160412D-FC5 OR 6 FBGA 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
K4E160412D-FL60 FBGA 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
K4E170412B-FL60 FBGA 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
K4E170412C-BC60 FBGA 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
K4E170412C-BC60000 FBGA 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
K4E170412D-BC60 FBGA 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
K4E170412D-BC60000 FBGA 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C