K4E160412D/CJ-B60

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Hersteller-Nummer K4E160412D/CJ-B60
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DRAM
IC-Code 4MX4 EDO

Produktbeschreibung

Gehäuse SOJ-24/26
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur 0 C~+70 C
Geschwindigkeit 60 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 4M
Bit Organization x4
Density 16M
Power Medium
Generation 5th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4E160412D/CJ-B60 30.000 00+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
71V17403CJ-60 SOJ-24/26 3.3 V 60 NS 0 C~+70 C
GM71V16403CJ-6 SOJ-24/26 3.3 V 60 NS 0 C~+70 C
GM71V16403CJ-60 SOJ-24/26 3.3 V 60 NS 0 C~+70 C
GM71V16403J6 SOJ-24/26 3.3 V 60 NS 0 C~+70 C
GM71V17403BJ6 SOJ-24/26 3.3 V 60 NS 0 C~+70 C
GM71V17403CJ-6 SOJ-24/26 3.3 V 60 NS 0 C~+70 C
GM71V17403CJ-60 SOJ-24/26 3.3 V 60 NS 0 C~+70 C
GM71V17403J-6 SOJ-24/26 3.3 V 60 NS 0 C~+70 C
GM71VS17400CLJ-6 SOJ-24/26 3.3 V 60 NS 0 C~+70 C
GM71VS17403CLJ-6 SOJ-24/26 3.3 V 60 NS 0 C~+70 C