K4E160412D-DC50TOO

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Hersteller-Nummer K4E160412D-DC50TOO
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DRAM
IC-Code 4MX4 EDO

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(24/26)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 50 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 4M
Bit Organization x4
Density 16M
Power Normal Power
Generation 5th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4E160412D-DC50TOO 50.000 00 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
IC41LV44004-50T TSOP2(24/26) 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
IS41LV44002B-50TL TSOP2(24/26) 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E160412C-FC50 TSOP2(24/26) 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E160412D-BC50T TSOP2(24/26) 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E160412D-BC50T00 TSOP2(24/26) 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E160412D-FC5 TSOP2(24/26) 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E160412D-FC50 TSOP2(24/26) 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E160412D-FC50000 TSOP2(24/26) 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E170412C-FC50 TSOP2(24/26) 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E170412C-FC50000 TSOP2(24/26) 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C