K4E160811C-BC50

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K4E160811C-BC50
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DRAM
IC-Code 2MX8 EDO
Andere Bezeichnungen K4E160811C-BC50000

Produktbeschreibung

Gehäuse SOJ-28
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 5.0 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 50 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 2M
Bit Organization x8
Density 16M
Generation 4th Generation
Power Normal Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4E160811C-BC50 5.500 Anfrage senden
K4E160811C-BC50 2.258 2005+ Anfrage senden
K4E160811C-BC50 8.336 2005+ Anfrage senden
K4E160811C-BC50 12.000 Anfrage senden
K4E160811C-BC50 10.000 2003+ Anfrage senden
K4E160811C-BC50 2.000 2007+ Anfrage senden
K4E160811C-BC50 858 2007+ Anfrage senden
K4E160811C-BC50 20.000 2003+ Anfrage senden
K4E160811C-BC50 858 Anfrage senden
K4E160811C-BC50 18.302 2003+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4E160811CJC50 SOJ-28 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E160811D-BC50 SOJ-28 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E160811DJC50 SOJ-28 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C