K4E160811C-BL50

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Hersteller-Nummer K4E160811C-BL50
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DRAM
IC-Code 2MX8 EDO

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 5.0 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 50 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 2M
Bit Organization x8
Density 16M
Generation 4th Generation
Power Low Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4E160811C-BL50 2.258 2005+ Anfrage senden
K4E160811C-BL50 8.336 2005+ Anfrage senden
K4E160811C-BL50 12.000 Anfrage senden
K4E160811C-BL50 10.000 2003+ Anfrage senden
K4E160811C-BL50 20.000 2003+ Anfrage senden
K4E160811C-BL50 17.900 2003+ Anfrage senden
K4E160811C-BL50 6.988 2003+ Anfrage senden
K4E160811C-BL50 15.000 2003+ Anfrage senden
K4E160811C-BL50 10.860 03+ Anfrage senden
K4E160811C-BL50 5.000 2003+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4E160811C-FL50 FBGA 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E160811D-BL50 FBGA 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E160811D-FL50 FBGA 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C