K4E160811D-FC60

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer	K4E160811D-FC60
Hersteller	SAMSUNG
Produktkategorie	DRAM
IC-Code	2MX8 EDO
Andere Bezeichnungen	K4E160811D-FC6000
	K4E160811D-FC60000
	K4E160811D-FC60000(00
	K4E160811D-FC60T00

Produktbeschreibung

Gehäuse	TSOP-28
Verpackung
RoHS	Leaded
Spannungsversorgung	5.0 V
Betriebstemperatur	0 C~+85 C
Geschwindigkeit	60 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words	2M
Bit Organization	x8
Density	16M
Power	Normal Power
Generation	5th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer	Menge	Datecode
K4E160811D-FC60	4.000		Anfrage senden
K4E160811D-FC60	2.258	2006+	Anfrage senden
K4E160811D-FC60	8.336	2005+	Anfrage senden
K4E160811D-FC60	3.200	08+	Anfrage senden
K4E160811D-FC60	3.000	07+	Anfrage senden
K4E160811D-FC60	12.000		Anfrage senden
K4E160811D-FC60	10.000	2003+	Anfrage senden
K4E160811D-FC60	20.000	2003+	Anfrage senden
K4E160811D-FC60	3.000	2003+	Anfrage senden
K4E160811D-FC60	16.390	2003+	Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer	Gehäuse	Spannungsversorgung	Geschwindigkeit	Betriebstemperatur
K4E160811C-FC60	TSOP-28	5.0 V	60 NS	0 C~+85 C