K4E160811DBL60

Produktübersicht

IC Picture

Bilder dienen nur der Illustration

Hersteller-Nummer K4E160811DBL60
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DRAM
IC-Code 2MX8 EDO
Andere Bezeichnungen K4E160811D-BL60000
K4E160811D-BL60T00
K4E160811DBL60TOO

Produktbeschreibung

Gehäuse SOJ-28
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 5.0 V
Betriebstemperatur 0 C~+70 C
Geschwindigkeit 60 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 2M
Bit Organization x8
Density 16M
Generation 5th Generation
Power Low Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4E160811DBL60 6.500 Anfrage senden
K4E160811DBL60TOO 2.258 2006+ Anfrage senden
K4E160811DBL60TOO 8.336 2005+ Anfrage senden
K4E160811DBL60TOO 12.000 Anfrage senden
K4E160811DBL60 10.000 2003+ Anfrage senden
K4E160811DBL60 20.000 2003+ Anfrage senden
K4E160811DBL60 40 Anfrage senden
K4E160811DBL60 17.800 2003+ Anfrage senden
K4E160811DBL60 6.988 2003+ Anfrage senden
K4E160811DBL60 2.000 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
GM71C/S17800CJ/CLJ-6 SOJ-28 5.0 V 60 NS 0 C~+70 C
GM71C/S17803CJ/CLJ-6 SOJ-28 5.0 V 60 NS 0 C~+70 C
GM71C17803BJ-6 SOJ-28 5.0 V 60 NS 0 C~+70 C
GM71C17803BJ-60 SOJ-28 5.0 V 60 NS 0 C~+70 C
GM71C17803CJ-6 SOJ-28 5.0 V 60 NS 0 C~+70 C
GM71C17803CJ-60 SOJ-28 5.0 V 60 NS 0 C~+70 C
GM71CS17800CLJ-6 SOJ-28 5.0 V 60 NS 0 C~+70 C
GM71CS17803CLJ-6 SOJ-28 5.0 V 60 NS 0 C~+70 C
K4E160811DBC60 SOJ-28 5.0 V 60 NS 0 C~+70 C
K4E160811DBC60 SOJ-28 5.0 V 60 NS 0 C~+70 C