K4E161611C-TC60

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Hersteller-Nummer K4E161611C-TC60
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DRAM
IC-Code 1MX16 EDO

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(50)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 5.0 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 60 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 1M
Bit Organization x16
Density 16M
Power Normal Power
Generation 4th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4E161611C-TC60 30.000 00+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
IC41C16100-60T TSOP2(44/50) 5.0 V 60 NS 0 C~+85 C
IC41C16100A-60T TSOP2(44/50) 5.0 V 60 NS 0 C~+85 C
IC41C16100AS-60T TSOP2(44/50) 5.0 V 60 NS 0 C~+85 C
IC41C16100S-60T TSOP2(44/50) 5.0 V 60 NS 0 C~+85 C
IS41C16100-50/60T TSOP2(44/50) 5.0 V 60 NS 0 C~+85 C
IS41C16100-60T TSOP2(44/50) 5.0 V 60 NS 0 C~+85 C
IS41C16100-60TE TSOP2(44/50) 5.0 V 60 NS 0 C~+85 C
IS41C16100-60TL TSOP2(44/50) 5.0 V 60 NS 0 C~+85 C
IS41C16100-60TL-TR TSOP2(44/50) 5.0 V 60 NS 0 C~+85 C
IS41C16100-60TX TSOP2(44/50) 5.0 V 60 NS 0 C~+85 C