K4E161612DTL50

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K4E161612DTL50
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DRAM
IC-Code 1MX16 EDO

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(44)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 50 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 1M
Bit Organization x16
Density 16M
Power Low Power
Generation 5th Generation

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
ISL41LV16100S-50T TSOP2(44) 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C