K4E170412C/D-FC 50-6

Produktübersicht

IC Picture

Bilder dienen nur der Illustration

Hersteller-Nummer K4E170412C/D-FC 50-6
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DRAM
IC-Code 4MX4 EDO
Andere Bezeichnungen K4E170412C/D-FC50/60

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(24/26)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur 0 C~+70 C
Geschwindigkeit 60 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Bit Organization x4
Power Low, i-TCSR & PASR & DS
Generation 4th Generation

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
71V17403CT-6 TSOP2(24/26) 3.3 V 60 NS 0 C~+70 C
GLT4160L04-60TC TSOP2(24/26) 3.3 V 60 NS 0 C~+70 C
GM71V16403CLT-6 TSOP2(24/26) 3.3 V 60 NS 0 C~+70 C
GM71V16403CLT60 TSOP2(24/26) 3.3 V 60 NS 0 C~+70 C
GM71V16403CT-6 TSOP2(24/26) 3.3 V 60 NS 0 C~+70 C
GM71V17403BT6 TSOP2(24/26) 3.3 V 60 NS 0 C~+70 C
GM71V17403CT-6 TSOP2(24/26) 3.3 V 60 NS 0 C~+70 C
GM71V17403CT-60 TSOP2(24/26) 3.3 V 60 NS 0 C~+70 C
GM71VS16400CLT-6 TSOP2(24/26) 3.3 V 60 NS 0 C~+70 C
GM71VS16403CLT-6 TSOP2(24/26) 3.3 V 60 NS 0 C~+70 C