K4E170412CFC50006000

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer	K4E170412CFC50006000
Hersteller	SAMSUNG
Produktkategorie	DRAM
IC-Code	4MX4 EDO

Produktbeschreibung

Gehäuse	TSOP2(24/26)
Verpackung	TRAY
RoHS	Leaded
Spannungsversorgung	LVTTL, VDD: 3.3V, VDDQ: 3.3V
Betriebstemperatur	0 C~+70 C
Geschwindigkeit	60 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Bit Organization	x4
Power	Normal Power
Generation	4th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer	Menge	Datecode
K4E170412CFC50006000	1.000		Anfrage senden
K4E170412CFC50006000	8.336	2005+	Anfrage senden
K4E170412CFC50006000	12.000		Anfrage senden
K4E170412CFC50006000	10.000		Anfrage senden