K4E170412CFL60

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer	K4E170412CFL60
Hersteller	SAMSUNG
Produktkategorie	DRAM
IC-Code	4MX4 EDO

Produktbeschreibung

Gehäuse	FBGA for 64Mb DDR (Lead-free & Halogen-free)
Verpackung
RoHS	Leaded
Spannungsversorgung	LVTTL, VDD: 3.3V, VDDQ: 3.3V
Betriebstemperatur	0 C~+70 C
Geschwindigkeit	60 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Bit Organization	x4
Power	Low Power
Generation	4th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer	Menge	Datecode
K4E170412CFL60	1.000		Anfrage senden
K4E170412CFL60	2.000		Anfrage senden
K4E170412CFL60	8.336	05+	Anfrage senden
K4E170412CFL60	8.336	2005+	Anfrage senden
K4E170412CFL60	12.000		Anfrage senden
K4E170412CFL60	1.148		Anfrage senden
K4E170412CFL60	10.000		Anfrage senden