K4E171611C-TL50

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Hersteller-Nummer K4E171611C-TL50
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DRAM
IC-Code 1MX16 EDO

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(44/50)
Verpackung TRAY
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 5.0 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 50 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Bit Organization x16
Power Low Power
Generation 4th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4E171611C-TL50 12.000 Anfrage senden
K4E171611C-TL50 10.000 2003+ Anfrage senden
K4E171611C-TL50 20.000 2003+ Anfrage senden
K4E171611C-TL50 16.390 2003+ Anfrage senden
K4E171611C-TL50 15.000 2003+ Anfrage senden
K4E171611C-TL50 6.630 03+ Anfrage senden
K4E171611C-TL50 5.000 2003+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
IC41C16100-50T TSOP2(44/50) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
IC41C161005-50T TSOP2(44/50) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
IC41C16100A-50T TSOP2(44/50) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
IC41C16100AS-50T TSOP2(44/50) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
IC41C16100S-50T TSOP2(44/50) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
IC41C16100S-50TG TSOP2(44/50) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
IC41C16100S-50TG TSOP TSOP2(44/50) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
IS41C16100-50T TSOP2(44/50) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
IS41C16100-50TE TSOP2(44/50) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
IS41C16100-50TL TSOP2(44/50) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C