K4E171611D-JL60

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Hersteller-Nummer K4E171611D-JL60
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DRAM
IC-Code 1MX16 EDO

Produktbeschreibung

Gehäuse SOJ-42
Verpackung TRAY
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 5.0 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 60 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Bit Organization x16
Power Low Power
Generation 5th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4E171611D-JL60 12.000 Anfrage senden
K4E171611D-JL60 10.000 2003+ Anfrage senden
K4E171611D-JL60 20.000 2003+ Anfrage senden
K4E171611D-JL60 9.000 2003+ Anfrage senden
K4E171611D-JL60 19.500 2003+ Anfrage senden
K4E171611D-JL60 6.630 03+ Anfrage senden
K4E171611D-JL60 5.000 2003+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
HY51181647JC-60 SOJ-42 5.0 V 60 NS 0 C~+85 C
HY5118164BJC-6 SOJ-42 5.0 V 60 NS 0 C~+85 C
HY5118164BJC-60 SOJ-42 5.0 V 60 NS 0 C~+85 C
HY5118164BJC-60 T/R SOJ-42 5.0 V 60 NS 0 C~+85 C
HY5118164BJC60DR SOJ-42 5.0 V 60 NS 0 C~+85 C
HY5118164CJC-160TR SOJ-42 5.0 V 60 NS 0 C~+85 C
HY5118164CJC-6 SOJ-42 5.0 V 60 NS 0 C~+85 C
HY5118164CJC-60 SOJ-42 5.0 V 60 NS 0 C~+85 C
HY5118164CJC-60 SOJ-42 5.0 V 60 NS 0 C~+85 C
HY5118164CJC-60 (1MX16/EDO) SOJ-42 5.0 V 60 NS 0 C~+85 C