K4E171612C0TN60T

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K4E171612C0TN60T
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DRAM
IC-Code 1MX16 EDO

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(44/50)
Verpackung TAPE ON REEL
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 60 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Bit Organization x16
Generation 4th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4E171612C0TN60T 35.000 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
HY51V18164CJC-60 T/R TSOP2(44/50) 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
HY51V18164CJC-60T TSOP2(44/50) 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
IC41LV1610060T TSOP2(44/50) 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
IC41LV16100A-60T TSOP2(44/50) 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
IC41LV16100S-60T TSOP2(44/50) 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
IC41LV16100S-60TG TSOP2(44/50) 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
IC41LV16100S-60TOR TSOP2(44/50) 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
IS41LV16100(S)-50/60 TSOP2(44/50) 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
IS41LV16100-60LT TSOP2(44/50) 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
IS41LV16100-60T TSOP2(44/50) 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C