K4E171612CJI50

Produktübersicht

IC Picture

Bilder dienen nur der Illustration

Hersteller-Nummer K4E171612CJI50
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DRAM
IC-Code 1MX16 EDO

Produktbeschreibung

Gehäuse SOJ-42
Verpackung TRAY
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur -40 C~+85 C
Geschwindigkeit 50 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Bit Organization x16
Generation 4th Generation
Power Normal Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4E171612CJI50 2.258 2005+ Anfrage senden
K4E171612CJI50 8.336 05+ Anfrage senden
K4E171612CJI50 8.336 2005+ Anfrage senden
K4E171612CJI50 12.000 Anfrage senden
K4E171612CJI50 5.000 2003+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
AS4LC1M16E5-50JI SOJ-42 3.3 V 50 NS -40 C~+85 C
IC41LV16100-50KI SOJ-42 3.3 V 50 NS -40 C~+85 C
IC41LV16100S-50KI SOJ-42 3.3 V 50 NS -40 C~+85 C
IC41LV16100S-50KIG SOJ-42 3.3 V 50 NS -40 C~+85 C
IS41LV16100-50KI SOJ-42 3.3 V 50 NS -40 C~+85 C
IS41LV16100-50KI #160 #1 SOJ-42 3.3 V 50 NS -40 C~+85 C
IS41LV16100-50KIT SOJ-42 3.3 V 50 NS -40 C~+85 C
IS41LV16100-50KITR SOJ-42 3.3 V 50 NS -40 C~+85 C
IS41LV16100-50KIX SOJ-42 3.3 V 50 NS -40 C~+85 C
IS41LV16100A-50KI SOJ-42 3.3 V 50 NS -40 C~+85 C