K4E171612CTI60

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K4E171612CTI60
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DRAM
IC-Code 1MX16 EDO

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(44/50)
Verpackung TRAY
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur -40 C~+85 C
Geschwindigkeit 60 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Bit Organization x16
Power Normal Power
Generation 4th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4E171612CTI60 2.258 2005+ Anfrage senden
K4E171612CTI60 2.000 Anfrage senden
K4E171612CTI60 8.336 05+ Anfrage senden
K4E171612CTI60 8.336 2005+ Anfrage senden
K4E171612CTI60 12.000 Anfrage senden
K4E171612CTI60 5.000 2003+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
AS4LC1M16E5-60TC OR TI TSOP2(44/50) 3.3 V 60 NS -40 C~+85 C
AS4LC1M16E5-60TC/TI TSOP2(44/50) 3.3 V 60 NS -40 C~+85 C
AS4LC1M16E5-60TI TSOP2(44/50) 3.3 V 60 NS -40 C~+85 C
AS4LC1M16E5-60TI X TSOP2(44/50) 3.3 V 60 NS -40 C~+85 C
AS4LC1M16ES60TCALLIANC TSOP2(44/50) 3.3 V 60 NS -40 C~+85 C
HM51W18165LTTI-6 TSOP2(44/50) 3.3 V 60 NS -40 C~+85 C
IC41LV16100-60TI TSOP2(44/50) 3.3 V 60 NS -40 C~+85 C
IC41LV16100S-60TI TSOP2(44/50) 3.3 V 60 NS -40 C~+85 C
IS41LV16100-60TI TSOP2(44/50) 3.3 V 60 NS -40 C~+85 C
IS41LV16100-60TI #160 TSOP2(44/50) 3.3 V 60 NS -40 C~+85 C