K4E171612D-JC60

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K4E171612D-JC60
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DRAM
IC-Code 1MX16 EDO
Andere Bezeichnungen K4E171612D-JC60T00

Produktbeschreibung

Gehäuse SOJ-42
Verpackung TRAY
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 60 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Bit Organization x16
Power Normal Power
Generation 5th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4E171612D-JC60 2.258 2005+ Anfrage senden
K4E171612D-JC60 8.336 05+ Anfrage senden
K4E171612D-JC60 8.336 2005+ Anfrage senden
K4E171612D-JC60 12.000 Anfrage senden
K4E171612D-JC60 10.000 2003+ Anfrage senden
K4E171612D-JC60 20.000 2003+ Anfrage senden
K4E171612D-JC60 9.800 2003+ Anfrage senden
K4E171612D-JC60 5.540 03+ Anfrage senden
K4E171612D-JC60 5.000 2003+ Anfrage senden
K4E171612D-JC60T00 5.000 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
HY51V16164BJC-6 SOJ-42 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
HY51V16164BJC-60 SOJ-42 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
HY51V18164B JC-60 SOJ-42 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
HY51V18164BJC-6 SOJ-42 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
HY51V18164BJC-60 SOJ-42 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
HY51V18164CJC-6 SOJ-42 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
HY51V18164CJC-60 SOJ-42 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
HY51V18164CJC-60 (1MX16/EDO/3. SOJ-42 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
HY51V18164CJC-60D SOJ-42 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
HY51V18164CJC-60DR SOJ-42 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C